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产品名称：OTSUKA大冢-分光器FE-5000S
产品型号：　FE-5000S
产品厂商：OTSUKA大塚电子
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简单介绍：

　FE-5000S OTSUKA大冢-分光器除了能够高精度的薄膜解析的分光中，通过实现测量角度的自动可变机构，也对应于所有种类的薄膜。除以往的旋转检光子法之外，通过设置相位差版的自动脱穿机构，提高了测定精度。OTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000S

详情介绍：

FE-5000S

OTSUKA大冢-分光器

除能够进行高精度薄膜解析的分光光导仪外，通过安装测定角度的自动可变机构，也适用于所有种类的薄膜.。除传统的旋转光子法外，还设置了相位差版的自动解吸机构，提高了测量精度.

OTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000S

特长。
在紫外可见(250到800 nm)波长范围内进行光导参数测量。
纳米计量器等级的多层薄膜的膜厚分析是可能的。
能够通过400ch以上的多通道分光法快速测定光导频谱。
反射角可变测量可实现更详细的薄膜分析。
通过光学常数的数据库化以及**登录功能的追加，提高操作性。
通过层膜拟合解析的光学常数测定，可以进行膜厚·膜质管理。

测量项目。
光导参数(tanψ、cosΔ)测量。
光学常数(n：折射率，k：衰退系数)分析。
膜厚的解析。

用途。
半导体晶圆。
栅氧化薄膜。
SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
光刻胶的光学常数(波长分散)。
化合物半导体。
AlxGa(1-x)As多层膜，非晶硅。
FPD。
取向膜。
等离子体显示器的ITO，MgO等。
各种新素材。
DLC(Diamond Like Carbon)，超导用薄膜，磁头薄膜。
光学薄膜。
TiO2、SiO2、多层膜、防反射膜、反射膜。
光刻领域。
g射线(436nm)，h线(405nm)，i线(365nm)，KrF(248nm)等各波长的n，k评价

仕　様

型式	FE-5000S	FE-5000
測定サンプル	反射測定サンプル
サンプルサイズ	100x100mm	200x200mm
測定方式	回転検光子法^*1
測定膜厚範囲(nd)	0.1nm～
入射（反射）角度範囲	45～90°	45～90°
入射（反射）角度駆動方式	自動サインバー駆動方式
入射スポット径^*2	約φ2.0	約φ1.2sup^*3
tanψ測定正確さ	±0.01以下
cosΔ測定正確さ	±0.01以下
膜厚の繰り返し再現性	0.01%以下^*4
測定波長範囲^*5	300～800nm	250～800nm
分光検出器	ポリクロメータ（PDA、CCD）
測定用光源	高安定キセノンランプ^*6
ステージ駆動方式	手動	手動/自動
ローダ対応	不可	可
寸法、重量	650（W)×400（D)×560（H）mm 約50kg	1300（W)×900（D)×1750（H）mm 約350kg^*7
ソフトウェア
解析	*小二乗薄膜解析（屈折率モデル関数、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など）理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時解析）

*1　偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板着脱可能です。
*2　短軸・角度により異なります。
*3　微小スポット対応（オプション）
*4　VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5　この波長範囲内で選択可能です。
*6　測定波長により光源が異なります。
*7　自動ステージ選択時の値です。

原　理

試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測定します。s波とp波は位相と振幅が独立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。

分光エリプソメータ原理

tanψ、consΔはエリプソパラメータと呼ばれており、分光エリプソメトリーではこの2つのパラメータの波長依存スペクトルが測定されます。

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