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  • 利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
  • 利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
  • 利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
  • 主要特长 直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单,安定性高。 采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。 完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。 为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。
  • 主要特长 直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单,安定性高。 采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。 完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。 为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。
  • 主要特长 直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单,安定性高。 采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。 完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。 为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项) *大基板尺寸为1,200mm×1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。 能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
  • 主要特长 能够进行节拍时间约20秒(标准规格机,对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。 利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙 。 可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。 可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统,以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(
  • 主要特长 能够进行节拍时间约20秒(标准规格机,对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。 利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙 。 可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。 可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统,以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(
  • 主要特长 能够进行节拍时间约20秒(标准规格机,对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。 利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙 。 可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。 可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统,以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项) 能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
  • 非常适用于实验・研发之用途。 紧凑型设计(600×600mm),可在桌面上安装使用。 搭载UV LED爆光灯房标准(有效曝光范围φ4″)。 接触式曝光模式(可支持其他的曝光模式,为选购项)。 完全手动操作,价格公道合理。

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