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描画图形装置日本DNK苏州销售MX-1205

利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
描画图形装置日本DNK苏州销售MX-1201E

利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
描画图形装置日本DNK苏州销售MX-1201

利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
近接曝光装置日本DNK苏州销售MA-6131ML

主要特长直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。
近接曝光装置日本DNK苏州销售MA-6801ML

主要特长直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。
近接曝光装置日本DNK苏州销售MA-6701ML

主要特长直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项) *大基板尺寸为1,200mm×1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
近接曝光装置MA-5111ML 日本DNK苏州销售

主要特长能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(
近接曝光装置MA-5701ML 日本DNK苏州销售

主要特长能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(
近接曝光装置MA-5501ML 日本DNK苏州销售

主要特长能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项) 能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
DA-1000日本 DNK 光刻机苏州销售

非常适用于实验・研发之用途。紧凑型设计(600×600mm)，可在桌面上安装使用。搭载UV LED爆光灯房标准（有效曝光范围φ4″）。接触式曝光模式（可支持其他的曝光模式，为选购项）。完全手动操作，价格公道合理。
日本DNK科研曝光机光刻机圆晶

主要特长除近接曝光外，还可对应接触曝光(软接触和硬接触) 可对应幅度为500mm以上的大型胶片。采用独自的光学系统,可选择单面曝光或双面曝光。还能进行一灯式双面曝光。装载有自动对位功能。通过特殊照明实现透明材料的对位。除Roll to Roll外可设计枚叶式搬送等机构,根据客户的需要构成装置。可选择基板台温度控制及掩膜冷却规格等。(选购项)
日本DNK科研曝光机MEMS用光刻机

主要特长采用独自的镜面・镜头光学系统,实现**均匀的照射。配备有可设定非接触・面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X・Y・θ轴对位台的对位系统。采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。
日本DNK科研曝光机MX-1205光刻机

产品信息实验・研究用曝光装置简练设计的手动式整面单次曝光装置。主要特长对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等
日本DNK科研曝光机MX-1201E光刻机

主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
日本DNK科研曝光机MX-1201光刻机

主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
日本DNK科研曝光机MA-5301ML光刻机

主要特长搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。采用本公司开创的同轴对位方式和高速图像处理技术, 从而实现了高精度对位。还支持IR方式和背面方式。通过本公司开创的光学式间隙传感器，可在非接触状态下高速、精的设定掩膜和基板间的近接间隙。搭载有掩膜更换机。*多可自动更换20张掩膜。 *多可搭载3台片仓（Load port）。