光刻机曝光机|塔玛萨崎电子（苏州）有限公司

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日本DNK科研曝光机光刻机圆晶

主要特长除近接曝光外，还可对应接触曝光(软接触和硬接触) 可对应幅度为500mm以上的大型胶片。采用独自的光学系统,可选择单面曝光或双面曝光。还能进行一灯式双面曝光。装载有自动对位功能。通过特殊照明实现透明材料的对位。除Roll to Roll外可设计枚叶式搬送等机构,根据客户的需要构成装置。可选择基板台温度控制及掩膜冷却规格等。(选购项)
日本DNK科研曝光机MEMS用光刻机

主要特长采用独自的镜面・镜头光学系统,实现**均匀的照射。配备有可设定非接触・面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X・Y・θ轴对位台的对位系统。采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。
日本DNK科研曝光机MX-1205光刻机

产品信息实验・研究用曝光装置简练设计的手动式整面单次曝光装置。主要特长对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等
日本DNK科研曝光机MX-1201E光刻机

主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
日本DNK科研曝光机MX-1201光刻机

主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
日本DNK科研曝光机MA-5301ML光刻机

主要特长搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。采用本公司开创的同轴对位方式和高速图像处理技术, 从而实现了高精度对位。还支持IR方式和背面方式。通过本公司开创的光学式间隙传感器，可在非接触状态下高速、精的设定掩膜和基板间的近接间隙。搭载有掩膜更换机。*多可自动更换20张掩膜。 *多可搭载3台片仓（Load port）。
日本DNK科研曝光机MA-4301M光刻机

主要特长利用本公司开创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。装载机侧和卸载机侧*多可设置两个篮具（选购项）。备有冷却机构，可进行基板台与掩膜的温度管理（选购项）。搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。搭载非接触预对位系统（PREALIGNER）。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
日本DNK科研曝光机MA-4000光刻机

主要特长采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送
日本DNK科研曝光机MA-1400光刻机

产品信息实验・研究用曝光装置简练设计的手动式整面单次曝光装置。主要特长对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等
日本DNK科研曝光机MA-1200光刻机

产品信息实验・研究用曝光装置简练设计的手动式整面单次曝光装置。主要特长对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W､1kW､2kW､3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等。