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  • 产品名称：日本DNK科研曝光机MA-4301M光刻机

  • 产品型号： MA-4301M
  • 产品厂商：DNK 科研
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简单介绍：
主要特长 利用本公司开创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。 装载机侧和卸载机侧*多可设置两个篮具（选购项）。 备有冷却机构，可进行基板台与掩膜的温度管理（选购项）。 搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。 搭载非接触预对位系统（PREALIGNER）。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。 搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
详情介绍：

光刻机介绍

曝光装置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″ 

光源 超高压水银灯 ：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

光源 超高压水银灯 ：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源 超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M   材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML  光源超高压汞灯：3.5kW  Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s  有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E  曝光扫描速度22.5mm/s  有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光装置MX-1205  曝光扫描速度9/4.5mm/s  有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要规格

  MA-4301M
Wafer尺寸 材料 Si,Glass
尺寸 Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm
Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
节拍时间 Proximity exposure：19 s/wafer
(One parallelism compensation per lot)
对位精度 自动对位：+/- 1 μm
(Peak search)
间隙 1 to 200 μm Servo motor
Setup resolution：1 μm
曝光方式 Soft contact exposure
Hard contact exposure
Proximity exposure
尺寸・重量 本体尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm
总重量(including lamp house)：1400 kg

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