产品名称：塔玛萨崎Otsuka大塚光谱仪

• 可在紫外可见（300~800nm）波长范围内测量椭圆参数
• 纳米级多层薄膜的厚度分析
• 使用 400ch 或更多多通道光谱快速测量椭圆光谱
• 通过可变反射角度测量支持薄膜的详细分析
• 通过数据库化光学常数和添加配方注册功能，提高可操作性

• 椭圆参数（tan= 、cosΔ）测量
• 光学常数 （ n ： 折射率 ， k ： 消光系数 ） 分析
• 厚度分析

• 半导体晶圆
  栅极氧化薄膜、氮化膜
  SiO₂，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al₂O₃，SiN_xO_y，poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
  电阻的光学常数（波长色散）
• 化合物半导体
  铝_xGa_(1-x)As 多层膜，非晶硅
• FPD
  对准膜
• 各种新材料
  DLC（Diamond Like Carbon）、超导薄膜、磁头薄膜
• 光学薄膜
  TiO₂，SiO₂，防反射膜
• 光刻领域
  

• g 线 （436nm）、h 线 （405nm） 、i 线 （365nm） 等各波长的 n，k 评价

类型表达式	FE-5000S	FE-5000
样本大小	高达 100x100mm	*大 200x200mm
测量方法	旋转分析仪*1
测量膜厚范围（nd）	0.1nm～1μm
入射（反射）角度范围	45～90°	45～90°
入射（反射）角度驱动方式	自动正弦杆驱动系统
入射点直径*2	φ2.0	φ1.2sup*3
tanψ测量精度	±0.01 或更少
cosΔ 测量精度	±0.01 或更少
薄膜厚度的重复再现性	0.01% 或更少*4
波长范围*5	300～800nm	300～800nm
测量光源	高稳定性 Xenon 灯*6
舞台驱动系统	手动	手动/自动
加载器支持	不可以	是
尺寸、重量	650（W)×400（D)×593（H）mm 50kg	1300（W)×890（D)×1750（H）mm 350kg*7

*1 偏振器可驱动，缓速板可拆卸，对不敏感带有效。
*2 因短轴和角度而异。
*3 微点对应（可选）
*4 使用 VLSI 标准 SiO2 膜 （100nm） 时的值。
*5 选择自动阶段时的值。