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日本MIKASA|涂布机、匀胶机、旋转涂膜仪|中国代理店塔玛萨崎电子（苏州）有限公司

日期：2024-05-04 00:56
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摘要：日本MIKASA|涂布机、匀胶机|中国代理店塔玛萨崎电子（苏州）有限公司
光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求
MIKASA米卡萨 旋转涂布机蚀刻机光刻机 半导体晶圆涂抹MS-B150

日本MIKASA|涂布机、匀胶机|中国代理店塔玛萨崎电子（苏州）有限公司

日本MIKASA旋转涂布机MS-A150/MS-B150现货现货
旋转涂膜仪




滴液装置可选组件 吸盘

●MS-B100/ MS-B150

●MS-B200

●MS-B300

●MS-B200 (密闭型)

●MS-B300 (密闭型)

日本MIKASA光刻机




●MA-10

●MA-20

●MA-60F

●M-2LF

●M-1S

日本MIKASA曝光，将光掩膜与晶园重合，复制电路图案。
日本MIKASA显影、蚀刻装置DeveloperEtching

去除曝光部位(正胶)的光刻胶。
●AD-1200

●AD-3000

●PD-1000

日本MIKASA蚀刻装置





蚀刻装置

●ED-1200

●ED-3000

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