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  • 产品名称：OTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000S

  • 产品型号：　PP-1000
  • 产品厂商：OTSUKA大塚电子
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简单介绍：
ELSZ-2000S OTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000S
详情介绍：
ELSZ-2000S
   OTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统
OTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000S
OTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相结构分析系统ELSZ-2000S
使用小角光散射法，能够实时解析高分子和薄膜的结构的装置。与使用X射线和中子线的装置相比，可以进行更大的结构(μm级)的评价。
从使用偏振片的Hv散射测量可以对光学各向异性的评价、结晶性薄膜的球晶直径的解析、Vv散射测量进行聚合物混合的相关长度的解析。


特长：
散射角度0.2~45°的测量可*短100msec测量。
评价亚微米~数100μm的结构。
也可以用专用的溶液池测量溶液样品。
在软件上轻松切换Hv散射和Vv散射测量。

台式实验室。

测量项目:
高的分子材料估价。
-结晶膜。
·结晶化温度、球晶径、结晶化速度。
·配光、光学各向异性。
-聚合物混合。
·相分离过程和相关长度(构造的大小)。
→高分子凝胶。
·三维架桥构造的大小。
-树脂。
·热硬化树脂和UV硬化树脂的硬化速度。
颗粒物性估价。
·粒子直径、凝集速度。
测量范围(理论值)。

球晶直径1.3~270μm。
粒子直径0.1~100μm。
相关长度0.1~100μm.


仕　様
型式 高分子相構造解析システム
測定原理 小角光散乱法
光源 半導体レーザ （波長785nm）
検出器 CMOSカメラ
測定散乱角度 0.2°～45°
取得像 Hv光散乱像、Vv光散乱像
測定スポット 約1mm
サンプルサイズ *大10cm角
ダイナミックレンジ 120db以上 （HDR機能使用）
測定時間 100ms～
解析項目 球晶径、相関長、粒子径など



光学系と測定手順

光学系と測定手順
【手順】
1．サンプルステージにサンプルをセットします
2．検光子を測定したい対象に合わせて調整します。
3．サンプルからの散乱パターンがカメラに記録されます。

 

Hv散乱

クロスニコル(偏光子と検光子が直交)で測定をします。
散乱体に光学異方性（複屈折）がある場合、散乱パターンが出現し、高分子の高次構造体のサイズ、秩序性、配向の評価が出来ます。
（測定例）結晶性フィルムの球晶径の解析

（測定例）結晶性フィルムの球晶径の解析

R = 4.09 / qmax
(R：球晶半径 、qmax：散乱光強度が*大になる散乱ベクトル )
散乱ベクトル q = 4π n/ λ sin( θ / 2 )
(λ：媒体中での波長、n：サンプル屈折率、θ：散乱角)
 

Vv散乱

パラレルニコル(偏光子と検光子が平行)で測定します。
・ポリマーブレンドの相分離過程の評価
・海島構造の大きさ(相関長)
・粒子径の評価
（測定例） 相分離構造の相関長の解析

（測定例）相分離構造の相関長の解析

Debye-Bueche Plot
I(q) = A / (1+ξ2q2)2
(A：定数、ξ：相関長、q：散乱ベクトル)
ξ = √(a / b)
(ξ：相関長 、a：傾き、b：切片 )



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