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  • 产品名称：日本DNK科研曝光机MX-1201E光刻机

  • 产品型号： MX-1201E
  • 产品厂商：DNK 科研
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简单介绍：
主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
详情介绍：

光刻机介绍

曝光装置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″ 

光源 超高压水银灯 ：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

光源 超高压水银灯 ：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源 超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M   材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML  光源超高压汞灯：3.5kW  Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s  有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E  曝光扫描速度22.5mm/s  有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光装置MX-1205  曝光扫描速度9/4.5mm/s  有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要规格

型式 MX-1201 MX-1201E MX-1205
*小线幅 (※1) [μm] 5 3 2 1
数据分辨率 [μm] 0.488 0.25 0.1 0.05
*大基板尺寸 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
有效曝光范围 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
激光主波长 [nm] 405 375 405 + 375 405 375 375
曝光扫描速度 [mm/s] 43.94 22.5 9 4.5
节拍时间 [s,min] 180 [s] 320 [s] 16 [min] 27 [min]
*大曝光量 [mJ/c㎡] 245 70 245 + 70 460 135 50 100

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