产品名称：苏州代理 大冢电子光谱椭偏仪 FE-5000 / 5000S

产品信息

• 可在紫外-可见 (300-800 nm) 波长范围内测量 Ellipso 参数
• 纳米级多层薄膜厚度分析成为可能
• 可以通过400ch以上的多通道光谱快速测量椭圆光谱
• 支持通过可变反射角测量对薄膜进行详细分析
• 通过创建光学常数数据库并添加配方注册功能，提高了可操作性。

• 椭圆参数 (tanψ, cosΔ) 测量
• 光学常数（n：折射率，k：消光系数）分析
• 膜厚分析

• 半导体晶片
  栅氧化薄膜、氮化膜
  SiO ₂、Si x O y、SiN、SiON、SiN x、Al ₂ O ₃、SiN _x O _y、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
  的光学常数（波长色散）抵抗
• 化合物半导体
  Al _x Ga _(1-x)作为多层膜、非晶硅
• FPD
  取向膜
• 各种新材料
  DLC（类金刚石碳）、超导用薄膜、磁头用薄膜
• 光学薄膜
  TiO ₂ , SiO ₂ , 减反射膜
• 
  

• g-line (436nm), h-line (405nm), i-line (365nm)等各波长的光刻场n、k评估
  规格

  模型	FE-5000S	FE-5000
  样本量	*大 100x100mm	*大 200x200mm
  测量方法	旋转光子法*1
  测量膜厚范围（nd）	0.1nm ~ 1μm
  入射（反射）角范围	45-90°	45-90°
  入射（反射）角驱动方式	自动正弦杆驱动系统
  光斑直径*2	φ2.0	φ1.2 sup * 3
  tan ψ 测量精度	± 0.01 或更小
  cosΔ测量精度	± 0.01 或更小
  可重复的薄膜厚度	0.01%以下*4
  波长范围*5	300-800nm	300-800nm
  测量用光源	高稳定性氙灯*6
  舞台驱动系统	手动的	手动自动
  装载机兼容	不可能的	可能的
  尺寸、重量	650 (W) x 400 (D) x 593 (H) 毫米 50kg	1300（宽）×890（深）×1750（高）mm 350kg * 7

  * 1 可驱动分离器，可装卸对死区有效的相位差板。
  * 2 因短轴和角度而异。
  * 3 与微小斑点兼容（选项）
  * 4 使用 VLSI 标准 SiO2 薄膜（100 nm）时的值。
  * 5 这是选择自动阶段时的值。

  测量示例

  使用倾斜模型对 ITO 进行结构分析

  ITO（氧化铟锡）是用于液晶显示器的透明电极材料，由于成膜后的退火处理（热处理），其导电性和颜色得到改善。此时，氧态和结晶度也发生变化，但这种变化可能相对于薄膜的厚度呈阶梯式变化，不能视为具有光学均匀组成的单层薄膜。
  对于这种 ITO，我们将介绍一个使用倾斜模型从上界面和下界面的 nk 测量倾斜度的示例。

  

  

   

  考虑表面粗糙度的膜厚值测量

  如果样品表面有粗糙度，将表面粗糙度建模为“粗糙层”，其中大气（空气）和膜厚材料以 1:1 的比例混合，并分析粗糙度和膜厚。 . 在这里，我们描述了一个测量表面粗糙度为几纳米的 SiN（氮化硅）的例子。

  

  

   

  使用非干涉层模型测量密封的 OLED 材料

  有机EL材料易受氧气和水分的影响，在正常大气下可能会发生改变或损坏。因此，成膜后立即用玻璃密封。以下是在密封时通过玻璃测量薄膜厚度的示例。中间的玻璃和空气层采用非干涉层模型。

  

  

   

  使用多点分析法测量 nk 未知超薄膜

  材料nk需要通过*小二乘法拟合来分析膜厚值(d)。如果 nk 未知，则将 d 和 nk 都解析为可变参数。然而，在d为100nm以下的超薄膜的情况下，d和nk不能分离，这可能会降低精度并且无法获得准确的d。在这种情况下，测量具有不同d的多个样品，并且假设nk相同，进行同时分析（多点分析）。这使得可以准确地获得nk和d。