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产品详情
简单介绍:
气相沉积设备
● ±2%以内的膜厚均匀性
● 低温工艺对应
● 抑制
颗粒产生 ● 提高
维护性 ● 紧凑的装置结构
● 提高
**性 ● 良好的台阶覆盖性
详情介绍:
概述
在密封室中,晶圆的沉积表面通过上部夹头向下部保持并加热,
同时从底部的分散头吹出工艺气体。
通过夹紧,可以提高晶圆表面的温度均匀性,实现出色的薄膜厚度均匀性。
此外,通过防止气体进入晶圆背面,防止背面沉积,防止颗粒粘附在晶圆上和腔室中
。
设备尺寸尽可能紧凑,占用空间*小。
密封室消除了气体泄漏,提高了工人的**性。
性能
支持的晶圆尺寸 | 到 8 英寸 | |||||||||||||||||
气体种类 | SiH4, O2, PH3, B2H6, N2 (TEOS, TEB, TMOP, O3是可选的) | |||||||||||||||||
沉积温度 | 300~450℃ | |||||||||||||||||
生产力 | ~15张/小时(500nm成膜时) |
规格
设备尺寸 | 890mm(W) x 2300mm(D) x 2250mm(H) | |||||||||||||||||
加热机构 | 电阻加热 | |||||||||||||||||
卸载 | 双滑块,机器人 CtoC 输送 | |||||||||||||||||
分散头 (气体喷嘴) |
圆形 |
重庆代理AMAYA天谷制作所高性能单片式常压CVD装置A200V
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