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  • 产品名称:UVISEL PLUS椭圆偏振光谱仪研究级HORIBA一手

  • 产品型号: UVISEL PLUS
  • 产品厂商:HORIBA堀场
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简单介绍:
UVISEL PLUS椭圆偏振光谱仪研究级HORIBA一手UVISEL Plus椭圆偏振光谱仪为先进薄膜、表面和界面表征提供了模块化和性能的优化组合。UVISEL Plus作为一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型,它采用了PEM 相位调制技术,与机械旋转部件技术相比, 能提供更好的稳定性和信噪比。光谱范围从190nm到2100nm。
详情介绍:

UVISEL PLUS椭圆偏振光谱仪研究级HORIBA一手

光谱范围从FUV到NIR:190-2100nm

UVISEL Plus椭圆偏振光谱仪为先进薄膜、表面和界面表征提供了模块化和性能的优化组合。

UVISEL Plus作为一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型,它采用了PEM 相位调制技术,与机械旋转部件技术相比, 能提供更好的稳定性和信噪比。光谱范围从190nm到2100nm。

UVISEL Plus集成了全新的FastAcqTM快速采集技术,可在3分钟以内实现高分辨的样品测试(190-2100 nm),校准仅需几分钟。基于全新的电子设备,数据处理和高速单色仪,FastAcq技术能够为用户提供高分辨及快速的数据采集。FastAcq专门为薄膜表征设计,双调制技术可以确保您获得优异的测试结果。

相位调制技术的独有特点为高频调制 50 kHz,信号采集过程无移动部件:

  • 测试全范围的椭偏角,Ψ (0-90),Δ (0-360)
  • 从FUV到NIR具有优良的信噪比
  • 数据采集速度快,高达50毫秒/点,是动力学研究和在线测量的理想选择

 

相比于采用 旋转元件调制的传统椭圆偏振光谱仪,UVISEL Plus的相位调制模式在表征薄膜方面具有更高的灵敏度和精度。它不仅可以探测到其他椭偏仪无法观测到的极薄膜或界面,还可以表征50µm的厚膜。

在测试有背反射的透明样品时,测试简单、准确,无需刮花背面。

UVISEL Plus还设计有多种附件及可选功能,便于客户根据应用需求及预算选择合适的配置。比如,微光斑用于图案样品、自动变角器、自动样品台等。

UVISEL Plus采用模块化设计,可灵活扩展。即可用于离线台式测量,也可以耦合于镀膜设备做在线监控。

UVISEL Plus可根据习惯选择操作界面,一个是 DeltaPsi2  具有建模和拟合处理功能;另一个是 Auto-Soft 用户导向的全自动样品测试界面 ,工作流程直观,易于非专业人士操作。

UVISEL Plus搭载FastAcq技术是材料研究和加工、平板显示、微电子和光伏领域中优选通用光谱型椭偏仪。

UVISEL Plus是材料科学研究的理想工具。

产品优势

  • 高精度和高灵敏度
  • 模块化设计
  • 宽光谱范围: 190-2100 nm
  • 集数据测量、建模和自动化操作为一体的软件包

 

获得的信息

  • 膜层厚度,从1Å到50 µm
  • 表面和界面粗糙度
  • 光学常数 (n,k) ,适用于各向同/异性和渐变层
  • 光学特性如:吸收系数α, 光学带隙Eg
  • 材料性能:合金成分、孔隙率、结晶度及形貌等
  • 穆勒矩阵
  • 退偏

UVISEL 规格

  • 光谱范围:标配190-885nm,可扩展至近红外2100nm
  • 检测系统:高分辨率光谱仪配合高灵敏探测器

 

 手动配置

  • 光斑尺寸:0.05 – 0.1 – 1 mm(针孔)
  • 样品台:直径150mm,手动调节高度(20mm)和倾角
  • 卡位量角器:手动调节角度,从55°到90°,步径5°

 

 自动配置

  • 光斑尺寸:0.05 - 0.1 - 1 mm或0.08 - 0.12 - 0.25 - 1.2 mm(针孔)
  • 自动样品平台:200 x 200mm或300 x 300mm,手动调节高度(4mm)和倾角;XYZ样品台,theta平台
  • 自动量角器:自动调节角度,从45°到90°,步径0.01°

 

 集成型量角器

  • 手动调节入射角度,从35°到90°,步径5°
  • 样品台:直径150mm,手动调节高度(20mm)
  • 自动准直系统(可选)
  • 尺寸: 25cm*21cm*35cm

 

 在线配置

  • 机械适配器:CF35或KF40法兰
  • 易于在在线和离线配置间更改
  • 更多信息

 

 选配

  • 附件:冷热台、液体样品池、电化学反应池、反射模块(测试0°入射的反射率)等
  • 可视化:CCD摄像机

 

性能

  • 准确度:Ψ= 45°±0.01°和Δ=0°±0.01°,空气对射1.5 - 5.3 eV
  • 重复性:NIST 1000Å SiO2/Si (190-2100 nm),d±0.1%,n(632.8nm)±0.0001


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