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近接曝光装置MA-5111ML 日本DNK苏州销售

主要特长能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(
近接曝光装置MA-5701ML 日本DNK苏州销售

主要特长能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(
近接曝光装置MA-5501ML 日本DNK苏州销售

主要特长能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙。可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项) 能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
DA-1000日本 DNK 光刻机苏州销售

非常适用于实验・研发之用途。紧凑型设计(600×600mm)，可在桌面上安装使用。搭载UV LED爆光灯房标准（有效曝光范围φ4″）。接触式曝光模式（可支持其他的曝光模式，为选购项）。完全手动操作，价格公道合理。