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  • SAMCO 平行平板型RIE装置 RIE-200C
    RIE-200C 是一种盒式设备，用于大规模生产，基于 RIE-10NR 的经验，该设备具有丰富的平行平板 RIE 设备交付记录。
  • SAMCO氯系气体对应的负载锁定式RIE装置RIE-200NL
    RIE-200NL 是一种负载锁定设备，基于 RIE-10NR 的经验，该设备具有丰富的平行平板 RIE 设备交付记录。
  • SAMCO 平行平板型RIE装置 RIE-10NR
    RIE-10NR 是一种平行平板反应离子蚀刻 （RIE）设备，用于各向异性加工各种硅薄膜，如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
  • SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-230iP
    RIE-230iP 是一种负载锁定 ICP 蚀刻设备，采用电感耦合等离子体（工业层压 Plasma）作为放电形式，旨在高速加工各种材料的超精细。
  • SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-400iP
    RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圆的负载锁定蚀刻设备，用于各种半导体膜和绝缘膜的高精度、高均匀性。
  • SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-800iP
    高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 该设备具有负载锁室，具有出色的工艺可重复性和稳定性。
  • SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-350iPC
    RIE-350iPC 是一种 ICP 蚀刻设备，用于化合物半导体工艺的多片同时处理，在放电形式中采用电感耦合等离子体（ 工业堆叠 Plasma）
  • SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-100HiC
    高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 无负载锁室的设备配置可实现低成本和节省空间，同时配备 2 个盒式磁带。
  • SAMCO ICP蚀刻装置 RIE-400iPC
    高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 该装置是一种全 面生产设备，具有真空盒室，具有优异的工艺可重复性和稳定性。 它成为直径为 ±4 英寸的晶圆专用设备，可以安装在节省空间的地方。
  • SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-800iPC
    高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 该装置是一种全 面生产设备，具有真空盒室，具有优异的工艺可重复性和稳定性。
  • SAMCO ICP蚀刻装置 RIE-802iPC
    高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 该装置具有两个反应室，提高了区域生产率，是一种具有出色工艺再现性和稳定性的正宗生产设备。
  • SAMCO用于研发的液体源 CVD® 设备
    PD-100ST 是一种低温、高速等离子CVD设备，用于通过 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液体材料。
  • SAMCO液体源 CVD® 设备
    PD-330STC 是一种用于形成绝缘膜的等离子 CVD 设备，专为 TSV（Si 通孔）开发。
  • SAMCO量产用液体源 CVD® 设备 PD-270STLC
    PD-270STLC 是一种低温、高速等离子 CVD 设备，用于通过 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液体材料。
  • SAMCO液体源CVD设备 PD-200STL
    PD-200STL 是一种高速等离子CVD设备，用于通过液体源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。
  • SAMCO等离子体CVD装置 PD-3800L
    小直径晶片多片处理用等离子体CVD装置
  • SAMCO 等离子CVD设备 PD-220NL
    虽然设计紧凑，可 沉积到 ±8 英寸晶圆上，但样品为 ±3 英寸晶圆，可同时沉积 5 个晶圆，4 英寸晶圆可同时形成 3 个薄膜，1 个 ±8 英寸晶圆可以沉积。
  • SAMCO等离子CVD设备 PD-2201LC
    在广泛的膜质量控制 SiN沉积中，应力控制范围从800MPa到压缩200MPa不等。 此外，通过改变气体流速比，还可以控制折射率。
  • SAMCO ALD 设备 AL-1 原子层沉积设备
    通过提供具有数十毫秒级良好沉积效率 的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。
  • SAMCO 等离子 ALD 设备 AD-230LP
    电子器件的绝缘膜、钝化膜

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