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  • Pixelink PL-D7512相机基于索尼IMX253 CMOS全局快门传感器,传感器尺寸为1.1英寸。USB 3.0 接口将高帧率 CMOS 技术的优势与 USB 3.0 技术的高速数据吞吐量结合在一起。
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  • PL-D729MU-AF16 PL-D729MU-AF25 PL-D729MU-BL-AF16 PL-D729MU-BL-AF25 PL-D729MU-BL-S-AF2.6 PL-D729MU-BL-S-AF7.5 PL-D729MU-BL-S-AF9.6 9 MP 在半马诺 9600 2/3" 传感器大小
  • PL-D729MU-AF16 PL-D729MU-AF25 PL-D729MU-BL-AF16 PL-D729MU-BL-AF25 PL-D729MU-BL-S-AF2.6 PL-D729MU-BL-S-AF7.5 PL-D729MU-BL-S-AF9.6 9 MP 在半马诺 9600 2/3" 传感器大小
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  • M12 显微镜摄像套件基于索尼 IMX253 CMOS 全球快门传感器,传感器尺寸为 1.1"。 M12B 显微镜基于索尼 IMX304 CMOS 全球快门传感器,传感器尺寸为 1.1"。 包括摄像头(索尼MX304传感器)和2米USB 3.0锁定电缆。 特点12.0 MP 索尼 IMX304 1.1" 传感器大小
  • M12 显微镜摄像套件基于索尼 IMX253 CMOS 全球快门传感器,传感器尺寸为 1.1"。 M12B 显微镜基于索尼 IMX304 CMOS 全球快门传感器,传感器尺寸为 1.1"。 包括摄像头(索尼MX304传感器)和2米USB 3.0锁定电缆。 特点12.0 MP 索尼 IMX304 1.1" 传感器大小
  • M20 显微镜摄像机基于索尼 IMX183 CMOS 滚动快门传感器,传感器尺寸为 1"。 该相机集成了 20 MP, 22 fps, 1",索尼 IMX183传感器, 是理想的应用程序需要高分辨率,高 QE 80%以上, 和非常低的噪音成像.常见的应用包括生命科学、计量学、医学成像、监视/无人机,甚至天文学。M20-CYL 相机的性能竞争对手目前提供的 SCMOS 相机价格只是其价格的一小
  • M20 显微镜摄像机基于索尼 IMX183 CMOS 滚动快门传感器,传感器尺寸为 1"。 该相机集成了 20 MP, 22 fps, 1",索尼 IMX183传感器, 是理想的应用程序需要高分辨率,高 QE 80%以上, 和非常低的噪音成像.常见的应用包括生命科学、计量学、医学成像、监视/无人机,甚至天文学。M20-CYL 相机的性能竞争对手目前提供的 SCMOS 相机价格只是其价格的一小
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  • M20 显微镜摄像机基于索尼 IMX183 CMOS 滚动快门传感器,传感器尺寸为 1"。 该相机集成了 20 MP, 22 fps, 1",索尼 IMX183传感器, 是理想的应用程序需要高分辨率,高 QE 80%以上, 和非常低的噪音成像.常见的应用包括生命科学、计量学、医学成像、监视/无人机,甚至天文学。M20-CYL 相机的性能竞争对手目前提供的 SCMOS 相机价格只是其价格的一小
  • M20 显微镜摄像机基于索尼 IMX183 CMOS 滚动快门传感器,传感器尺寸为 1"。 该相机集成了 20 MP, 22 fps, 1",索尼 IMX183传感器, 是理想的应用程序需要高分辨率,高 QE 80%以上, 和非常低的噪音成像.常见的应用包括生命科学、计量学、医学成像、监视/无人机,甚至天文学。M20-CYL 相机的性能竞争对手目前提供的 SCMOS 相机价格只是其价格的一小
  • M20 显微镜摄像机基于索尼 IMX183 CMOS 滚动快门传感器,传感器尺寸为 1"。 该相机集成了 20 MP, 22 fps, 1",索尼 IMX183传感器, 是理想的应用程序需要高分辨率,高 QE 80%以上, 和非常低的噪音成像.常见的应用包括生命科学、计量学、医学成像、监视/无人机,甚至天文学。M20-CYL 相机的性能竞争对手目前提供的 SCMOS 相机价格只是其价格的一小部分。
  • RIE-200C 是一种盒式设备,用于大规模生产,基于 RIE-10NR 的经验,该设备具有丰富的平行平板 RIE 设备交付记录。
  • RIE-200NL 是一种负载锁定设备,基于 RIE-10NR 的经验,该设备具有丰富的平行平板 RIE 设备交付记录。
  • RIE-10NR 是一种平行平板反应离子蚀刻 (RIE)设备,用于各向异性加工各种硅薄膜,如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
  • RIE-230iP 是一种负载锁定 ICP 蚀刻设备,采用电感耦合等离子体(工业层压 Plasma)作为放电形式,旨在高速加工各种材料的超精细。
  • RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圆的负载锁定蚀刻设备,用于各种半导体膜和绝缘膜的高精度、高均匀性。
  • 高密度等离子蚀刻装置,采用电感耦合等离子体(工业塑料广场)作为放电形式。 该设备具有负载锁室,具有出色的工艺可重复性和稳定性。
  • RIE-350iPC 是一种 ICP 蚀刻设备,用于化合物半导体工艺的多片同时处理,在放电形式中采用电感耦合等离子体( 工业堆叠 Plasma)
  • 高密度等离子蚀刻装置,采用电感耦合等离子体(工业塑料广场)作为放电形式。 无负载锁室的设备配置可实现低成本和节省空间,同时配备 2 个盒式磁带。
  • 高密度等离子蚀刻装置,采用电感耦合等离子体(工业塑料广场)作为放电形式。 该装置是一种全 面生产设备,具有真空盒室,具有优异的工艺可重复性和稳定性。 它成为直径为 ±4 英寸的晶圆专用设备,可以安装在节省空间的地方。
  • 高密度等离子蚀刻装置,采用电感耦合等离子体(工业塑料广场)作为放电形式。 该装置是一种全 面生产设备,具有真空盒室,具有优异的工艺可重复性和稳定性。
  • 高密度等离子蚀刻装置,采用电感耦合等离子体(工业塑料广场)作为放电形式。 该装置具有两个反应室,提高了区域生产率,是一种具有出色工艺再现性和稳定性的正宗生产设备。
  • PD-100ST 是一种低温、高速等离子CVD设备,用于通过 TEOS 形成氧化硅膜 (SiO+),用于液体材料。
  • PD-330STC 是一种用于形成绝缘膜的等离子 CVD 设备,专为 TSV(Si 通孔)开发。
  • PD-270STLC 是一种低温、高速等离子 CVD 设备,用于通过 TEOS 形成氧化硅膜 (SiO+),用于液体材料。
  • PD-200STL 是一种高速等离子CVD设备,用于通过液体源形成氧化硅 (SiO2) 膜和氮化硅 (SiN) 膜。
  • 小直径晶片多片处理用等离子体CVD装置
  • 虽然设计紧凑,可 沉积到 ±8 英寸晶圆上,但样品为 ±3 英寸晶圆,可同时沉积 5 个晶圆,4 英寸晶圆可同时形成 3 个薄膜,1 个 ±8 英寸晶圆可以沉积。
  • 在广泛的膜质量控制 SiN沉积中,应力控制范围从800MPa到压缩200MPa不等。 此外,通过改变气体流速比,还可以控制折射率。
  • 通过提供具有数十毫秒级良好沉积效率 的脉冲,减少了原材料的损耗,提高了沉积效率。
  • 电子器件的绝缘膜、钝化膜
  • 长处 它检测AC6600V无接触充电的存在与否。 可以在远处检测到高压充电状态。 充电时,它被发音为(饼),语音“充电”,并发出光。 音量可以切换到4级。 “音梨”(关闭)→低(蓝色)→中(绿色)→大声(红色) 即使在*大音量下使用,电池寿命也连续超过 35 小时。
  • 长处 它检测电线是否从护套线充电,并通过声音和光通知它。 由于它是伸缩式的,因此可以轻松**地安装在高处的电线上。 延伸过程中确保绝缘距离为 60 厘米。 连续使用电池寿命长达1周。 探测器具有防水结构。
  • 长处 在移除地线的情况下使用交流电。 地线连接使用压接端子,因此即使电线断裂,也可以在现场维修。 直流地线连接在手柄下方,不会干扰。 伸缩管由坚固的玻璃钢制成,可防止破损。 探测器具有防水结构。 具有使用前测试主电路和电池的功能。
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苏公网安备 32050502000409号